《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》12月24日訊 據(jù)韓國《朝鮮日?qǐng)?bào)》今日消息，三星電子、SK海力士等存儲(chǔ)供應(yīng)商已上調(diào)明年HBM3E價(jià)格，漲幅接近20%。一般而言，在新一代HBM產(chǎn)品面世之前，供應(yīng)商往往會(huì)下調(diào)前一代產(chǎn)品價(jià)格，因此本次漲價(jià)在業(yè)內(nèi)較為罕見。

在這背后，是供需兩端的共同作用。供應(yīng)方面，存儲(chǔ)廠商預(yù)計(jì)明年第六代HBM（即HBM4）需求將增加，加大對(duì)其產(chǎn)能投入，導(dǎo)致HBM3E產(chǎn)能遭到積壓。

需求方面，除了英偉達(dá)之外，來自谷歌、亞馬遜等公司的訂單量也大幅增加。

其中，英偉達(dá)H200芯片每顆搭載6顆HBM3E；搭載HBM3E的谷歌第七代TPU和亞馬遜Trainium將于明年開始出貨，兩款產(chǎn)品HBM搭載量均較上一代產(chǎn)品增加約20%至30%，前者每顆搭載8顆HBM3E，后者搭載4顆HBM3E。

KB Securities指出，由于ASIC需求激增，以ASIC為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量將有望較2025年暴增3倍，預(yù)估將達(dá)111億Gb。且其預(yù)計(jì)明年HBM市場的營收占比將為HBM4占55%、HBM3E占45%；從明年第三季度起，HBM4將快速吸收HBM3E的需求。

值得注意的是，美光在上周的業(yè)績會(huì)上，同樣對(duì)HBM給出了樂觀預(yù)期。

公司高管透露，公司2026年（日歷年）全年HBM的供應(yīng)量已就價(jià)格和數(shù)量與客戶達(dá)成協(xié)議，全部售罄；預(yù)計(jì)HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達(dá)到1000億美元（2025年為350億美元），復(fù)合年增長率約40%。美光預(yù)計(jì)2026年資本支出將達(dá)200億元，用于支持HBM和1-gamma DRAM供應(yīng)。

招商證券表示，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)后續(xù)DRAM和NAND資本開支將會(huì)持續(xù)增長，但對(duì)2026年產(chǎn)能助力有限，預(yù)計(jì)2026年DRAM和NAND資本開支分別同比增長14%和5%，但擴(kuò)產(chǎn)次序還是優(yōu)先AI高端存儲(chǔ)，NAND類相對(duì)靠后。