財聯(lián)社1月5日訊（編輯 周子意）據(jù)韓國三星電子聯(lián)席首席執(zhí)行官最新表示，內(nèi)存芯片短缺的局面“前所未有”且“極其嚴重”，并且內(nèi)存芯片價格飆升將對智能手機價格產(chǎn)生不可避免的影響。

據(jù)市場追蹤機構(gòu)DRAMeXchange稱，過去一年中，傳統(tǒng)DDR4 DRAM的基準價格飆升了近七倍——這是自 2016 年開始追蹤價格以來的最高水平；同時，NAND 閃存的價格也大幅上漲，同期漲幅超過一倍。

三星或迎來強勁財報

有分析師指出，得益于內(nèi)存芯片價格的歷史性飆升以及用于人工智能的高帶寬內(nèi)存（HDM）的復(fù)蘇，三星電子即將創(chuàng)下有史以來最強勁的季度營業(yè)利潤。

該公司預(yù)計將于本周晚些時候公布初步第四季度業(yè)績報告，市場普遍預(yù)期其季度營業(yè)利潤將達到約19萬億韓元（約合140億美元），幾乎是上一季度的三倍。還有一些分析師預(yù)測，這一數(shù)字可能首次超過20萬億韓元，達到這一里程碑主要得益于其半導(dǎo)體部門。

內(nèi)存價格的大幅上漲反映出供應(yīng)緊張。而作為全球最大的存內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，三星成為這一轉(zhuǎn)變的最大受益者。

令投資者更加樂觀的是，三星在HBM領(lǐng)域的地位正在提升，而HBM是人工智能加速器中的關(guān)鍵組件。

業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星最近在向包括英偉達和博通在內(nèi)的主要客戶提供的第六代 HBM4 產(chǎn)品測試中獲得了最高性能評分。HBM4 預(yù)計將部署在英偉達計劃于今年晚些時候發(fā)布的下一代人工智能平臺上。

從市占率來看，三星在全球HBM市場的份額穩(wěn)步上升，從去年第一季度的13%增長至第三季度的超過 20%。分析人士預(yù)計，今年這一數(shù)字將超過 30%，縮小與目前市場領(lǐng)導(dǎo)者韓國SK 海力士之間的差距。

三星電子聯(lián)席首席執(zhí)行官兼芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun）在一份新年致辭中表示，三星HBM4的差異化競爭力得到了客戶的一致好評，并宣告“三星回來了”。

近日，投資者對三星的樂觀預(yù)期反映在了股票市場中。在2026年頭兩個交易日中，三星電子股價的單日漲幅分別為7.17%和7.47%，并引領(lǐng)韓國基準股指KOSPI盤中刷新歷史新高。